ページング方式の仮想記憶システムにおいて，スラッシングが発生した際の対処方法として次の記述のうち，最も適切なものはどれか。
① 主記憶装置の容量を減らす。
② 同時に実行するプロセスを減らす。
③ 補助記憶装置上に確保している仮想記憶用の領域の容量を増やす。
④ 補助記憶装置のフラグメンテーションを解消する。
⑤ 補助記憶装置の容量を増やす。
答え
②
解説
スラッシングは，主記憶容量に過大なプロセスが投入された場合に，仮想記憶装置内でページイン（スワップイン）・ページアウト（スワップアウト）が繰り返される現象です。
主な対策には，主記憶の容量を増やすか，プロセスを減らす，が挙げられます。
① 主記憶装置の容量を減らす。
増やす必要がありますので，不適切です。
② 同時に実行するプロセスを減らす。
適切です。
③ 補助記憶装置上に確保している仮想記憶用の領域の容量を増やす。
仮想記憶領域を増やしても効果がないため，不適切です。
④ 補助記憶装置のフラグメンテーションを解消する。
補助記憶装置への対策は効果がないため，不適切です。
⑤ 補助記憶装置の容量を増やす。
補助記憶装置への対策は効果がないため，不適切です。