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技術士第一次試験専門科目 平成28年度 Ⅲ-10

 ページング方式の仮想記憶システムにおいて,スラッシングが発生した際の対処方法として次の記述のうち,最も適切なものはどれか。

① 主記憶装置の容量を減らす。

② 同時に実行するプロセスを減らす。

③ 補助記憶装置上に確保している仮想記憶用の領域の容量を増やす。

④ 補助記憶装置のフラグメンテーションを解消する。

⑤ 補助記憶装置の容量を増やす。

 

 

答え

      ②

解説

 スラッシングは,主記憶容量に過大なプロセスが投入された場合に,仮想記憶装置内でページイン(スワップイン)・ページアウト(スワップアウト)が繰り返される現象です。
 主な対策には,主記憶の容量を増やすか,プロセスを減らす,が挙げられます。

① 主記憶装置の容量を減らす。
増やす必要がありますので,不適切です。

② 同時に実行するプロセスを減らす。
適切です。

③ 補助記憶装置上に確保している仮想記憶用の領域の容量を増やす。
仮想記憶領域を増やしても効果がないため,不適切です。

④ 補助記憶装置のフラグメンテーションを解消する。
補助記憶装置への対策は効果がないため,不適切です。

⑤ 補助記憶装置の容量を増やす。
補助記憶装置への対策は効果がないため,不適切です。